机译:使用有机BARC在HBr / O $ _ {2} $等离子体处理步骤之后使用CF $ _ {4} $等离子体处理的新型Gate CD控制技术
antireflection coatings; etching; photoresists; sputter etching; 0.18 micron; gate CD control technology; gate critical dimension control; gate etch process; improved gate CD capability; metal-oxide semiconductor technology; organic BARC; organic bottom antireflect;
机译:在HBr / Cl_2 / O_2和HBr / Cl_2 / O_2 / CF_4高密度等离子体中蚀刻的硅栅极的化学形貌分析
机译:化学对高密度卤素基等离子体中抗蚀剂掩膜硅栅极轮廓控制的影响
机译:通过自适应实时计算原位过程信号中的过蚀刻时间,进行晶圆间等离子体栅极蚀刻控制的生产演示
机译:等离子体栅极蚀刻的神经网络控制:晶圆间工艺控制的早期步骤
机译:在先进的过程控制策略中,使用萃取式FTIR光谱技术对替代混合废物等离子炬加工设备进行过程优化研究。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:等离子体氮化处理中有机薄膜晶体管栅极绝缘膜的表面处理
机译:替代配方,用于低浓度混合废物的热处理。第3部分:等离子炉膛过程测试