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机译:GaAs MESFET中子损伤的研究
机译:GaAs MESFET中的中子/γ诱导的损伤机理和协同效应
机译:GaAs缓冲FET逻辑(BFL)MESFET和暴露于高能中子的逆变器的特性
机译:GaAs MESFET中中子诱发的缺陷团簇的结构
机译:GaAs MESFET中的中子诱发损伤
机译:研究光子晶体中的杂质模式和研究功率GaAs MESFET。
机译:AlAsGaAs和GaAs / AlAs超晶格的低能辐射响应及其对电子结构的损伤作用的比较研究
机译:辐射损伤对GaAs Mesfet的器件性能的数值模拟
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。