机译:GaAs缓冲FET逻辑(BFL)MESFET和暴露于高能中子的逆变器的特性
机译:GaAs DCFL MESFET和暴露于高能中子的逆变器的特性
机译:GaAs异质结FET(HFET)和源极跟随器FET逻辑(SFFL)逆变器暴露于高能中子的特性
机译:GaAs MESFET逆变器暴露于高能中子的特性
机译:具有不同MBE缓冲层厚度的GaAs MESFET中的沟道衬底电流和击穿特性
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:高能光子束放射治疗中的光中子特性研究进展
机译:GaAs互补异质结FET(C-HFET)和基于C-HFET的放大器在高中子注量下的特性