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机译:MPTB实验的双端口板SRAM中的单事件失败
机译:商业批量65nm CMOS SRAM和触发器中的单事件翻转和多单元翻转建模
机译:CMOS SRAM中单事件闩锁和单事件翻转的微束映射
机译:基于实验验证的仿真工具的纳米SOI和体SRAM器件中大气中子诱发单事件扰动的机制
机译:MPTB实验的双端口板SRAM中的单事件失败
机译:Monte Carlo方法,用于预测SRAM脆弱性对μON和电子诱导的单一事件UPSETS
机译:缓解癫痫神经刺激器的位翻转或单事件不适
机译:三维堆积SRAM中重离子诱导的单一事件的评价方法