双端口SRAM的制造方法和双端口SRAM

摘要

本发明涉及双端口SRAM的制造方法和双端口SRAM，涉及半导体集成电路制造方法，在双端口SRAM的制造过程中，通过在“N型轻掺杂源漏离子注入工艺”之后进行“去除P型器件的栅极结构和N型器件的栅极结构表层的硬掩模层”的工艺，使在N型轻掺杂源漏离子注入工艺前，确保由硬掩模层作为包覆层，利用该包覆层降低多晶硅电阻，进一步提升读电流，达到改善读电流的效果，进而改善SRAM单元读操作的不匹配性，从而有效的提高SRAM器件性能，增大良率窗口。