第1 章 绪 论
1.1 课题背景及研究的目的和意义
1.2 国内外研究现状及分析
1.2.1 抗辐射 SRAM 加固的国内外研究现状
1.2.2 存储器编译器的国内外研究现状
1.3 主要研究内容
第2 章 DICE 结构的双端口SRAM 电路设计及实现
2.1 双端口 SRAM 的架构设计
2.2 双端口 SRAM 存储单元设计
2.2.1 8 管存储单元
2.2.2 DICE 结构存储单元设计
2.3 译码器设计
2.3.1 行译码器设计
2.3.2 列译码器设计
2.4 灵敏放大器设计
2.5 输入输出电路设计
2.6 时钟及使能电路设计
2.7 本章小结
第3 章 双端口SRAM 版图的加固及参数化设计
3.1 双端口 SRAM 版图抗辐射加固设计
3.1.1 单元版图抗辐射加固
3.1.2 版图布局设计
3.2 双端口 SRAM 版图参数化单元的设计流程
3.3 DICE 结构双端口 SRAM 版图宏模块的参数化生成
3.3.1 版图的基本单元库设计
3.3.2 WING_LEFT 与 WING_RIGHT 宏模块
3.3.3 译码器宏模块
3.3.4 MODEL_ROW 模块
3.3.5 MODEL_COL_A 与 MODEL_COL_B 模块
3.3.6 CAP 宏模块
3.3.7 电源环
3.4 完整版图的参数化生成
3.5 本章小结
第 4 章 DICE 结构双端口 SRAM 的仿真与验证
4.1 双端口 SRAM 存储器电路仿真
4.2 典型结构的 SRAM 参数化版图生成与验证
4.3 版图后仿真
4.4 本章小结
结 论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果
声明
致 谢
哈尔滨工业大学;