机译:基于碳纳米管的CMOS SRAM:1 kbit 6T SRAM阵列和10T SRAM单元
机译:具有2.3μm/ sup 2 /单个位线存储单元的16-Mb CMOS SRAM
机译:常规6T SRAM单元和基于FinFET的45nm技术的6T SRAM单元参数的比较
机译:具有低位VLSI SRAM的新型两端口6T CMOS SRAM单元结构,具有单位线同时读写访问(SBLSRWA)功能
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:用于65 nm CMOS技术中亚阈值操作的6T和10T SRAM单元的比较分析