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刘岩; 候朝焕;
中国科学院声学所;
中国科学院研究生院;
多端口; 单位线; SRAM; 电流模式;
机译:采用0.18μmCMOS技术的8单元双端口SRAM的设计
机译:采用90纳米CMOS技术的多步读取方法的128 Kbit 16端口SRAM设计
机译:低压嵌入式单端口SRAM发生器,采用0.18 / spl mu / m标准CMOS工艺
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:采用0.18 µm CMOS工艺的用于温度传感器的低功耗闪存模数转换器芯片的设计
机译:耐辐射电路采用2个商用0.25(微)CmOs工艺设计
机译:MOS晶体管电路采用双绝缘栅场效应晶体管,CMOS电路采用同一绝缘层,SRAM单元电路,CMOS-SRAM单元电路和集成电路
机译:采用部分耗尽的SOI CMOS动态阈值技术的具有单个位线同时读写访问(SBLSRWA)功能的0.7V两端口6T SRAM存储器单元结构
机译:具有单位线同时读写访问(SBLSRWA)功能的低压VLSI SRAM的两端口6T CMOS SRAM单元结构
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