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胡伟; 陈金福; 张振勇; 杨莲兴;
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;
高线性度; 降频混频电路; 0.18μm; CMOS; 射频电路; 工作原理;
机译:采用65 nm CMOS技术的高线性度,低功耗RF混频器设计
机译:采用0.18μmCMOS技术的低压高线性度2.4 GHz上变频混频器的设计
机译:采用0.18μmCMOS技术的低压高线性度超宽带下变频混频器
机译:采用0.18μm技术的高线性度和低噪声系数的CMOS下变频混频器
机译:低电流包络检波器和100 MHZ带宽,以及采用CMOS技术的功率RF放大器的工作特性(0.18微米,1.88 GHZ)。
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:-55°C至170°C高线性电压参考电路采用0.18mm CmOs技术
机译:可重配置的0.7 2.6GHz宽带混频器,适用于0.18m RF CmOs的多模多标准接收器。
机译:具有高线性度和高增益的图像拒绝混频器以及使用其的RF电路
机译:具有预加重和高线性度的宽带混频器的电路装置以及宽带混频的方法
机译:宽范围突发信号中的高线性度CMOS WiFi RF功率放大器
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