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将相变存储器并入CMOS工艺的非易失性SRAM单元

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摘要

一种SRAM单元，该SRAM单元具有由CMOS技术形成的两个交叉耦合反相器以及第一和第二硫族化物元件，该第一和第二硫族化物元件与SRAM单元相集成，以将非易失性性质添加到存储单元。PCM阻抗被编程为SET状态和RESET状态，并且当加电时，SRAM单元加载包含在PCM单元中的数据。

1. 将相变存储器并入CMOS工艺的非易失性SRAM单元 [P] . 中国专利： CN102122528B . 2015.12.16
2. 非易失性SRAM存储器单元及非易失性半导体存储装置 [P] . 中国专利： CN107484434B . 2019.04.12
3. - NON-VOLATILE SRAM CELL THAT INCORPORATES PHASE-CHANGE MEMORY INTO A CMOS PROCESS [P] . 韩国专利： KR101626345B1 . 2016-06-01

机译： -将相变存储器集成到CMOS工艺中的非易失性SRAM单元
4. Nonvolatile SRAM cells incorporating a phase change memory in CMOS process [P] . 日本专利： JP5588823B2 . 2014-09-10

机译：非易失性SRAM单元在CMOS工艺中集成了相变存储器
5. Non-volatile SRAM cell that incorporates phase-change memory into a CMOS process [P] . 美国专利： US8605490B2 . 2013-12-10

机译：将相变存储器整合到CMOS工艺中的非易失性SRAM单元