非易失性SRAM存储器单元及非易失性半导体存储装置

摘要

本发明提供非易失性SRAM存储器单元及非易失性半导体存储装置，在非易失性半导体存储装置(1)中，能够降低将SRAM数据写入非易失存储器部(16)的程序动作所需电压，因此能够将构成与所述非易失存储器部(16)连接的SRAM(15)的第一存取晶体管(21a)、第二存取晶体管(21b)、第一负载晶体管(22a)、第二负载晶体管(22b)、第一驱动晶体管(23a)、第二驱动晶体管(23b)的各栅极绝缘膜的膜厚形成为4nm以下，相应地能够使SRAM(15)通过低电源电压高速动作，由此，能够将SRAM(15)的SRAM数据写入非易失存储器部(16)，且能够实现在所述SRAM(15)的高速动作。