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【2h】

Room-temperature Operation of Low-voltage, Non-volatile, Compound-semiconductor Memory Cells

机译：低压，非易失性，复合半导体存储器单元的室温操作

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Ofogh Tizno; Andrew R. J. Marshall; Natalia Fernández-Delgado; Miriam Herrera; Sergio I. Molina; Manus Hayne;
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年度 2019
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1. Titanium–tungsten nanocrystals embedded in a SiO2/Al2O3 gate dielectric stack for low-voltage operation in non-volatile memory [J] . Shiqian Yang, QinWang, Manhong Zhang, Nanotechnology . 2010,第24期

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2. Anodized Aluminum Oxide Thin Films for Room-Temperature-Processed, Flexible, Low-Voltage Organic Non-Volatile Memory Elements with Excellent Charge Retention [J] . Martin Kaltenbrunner, Philipp Stadler, Reinhard Schwodiauer, Advanced Materials . 2011,第42期

机译：阳极氧化的氧化铝薄膜，用于常温处理，柔性，低压有机非易失性存储元件，具有出色的电荷保持能力
3. A room-temperature non-volatile CNT-based molecular memory cell [J] . Senbin Ye, Qingshen Jing, Ray P. S. Han Journal of Applied Physics . 2013,第14期

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4. A Novel 15T-4MTJ based Non-volatile Ternary Content-Addressable Memory Cell for High-Speed, Low-Power and High-Reliable Search Operation [C] . Chengzhi Wang, Deming Zhang, Lang Zeng, IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems . 2018

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5. Physics based modeling of the charging dynamics in silicon nanocrystal non-volatile flash memory cell [D] . Singaraju Venkata Sai, Pavan Kumar 2007

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机译：低压非易失性复合半导体存储单元的室温操作
7. High-performance low-voltage organic transistor memories with room-temperature solution-processed hybrid nanolayer dielectrics [O] . Xia G, Wang S, Zhao X, 2013

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