机译:基于RERAM技术的非易失性SRAM存储器单元
Department of Electrical and Electronics Engineering Lebanese International University Beirut Lebanon IM2NP-UMR CNRS 7334 Aix-Marseille University Marseille France;
Department of Electrical and Electronics Engineering International University of Beirut Beirut Lebanon;
IM2NP-UMR CNRS 7334 Aix-Marseille University Marseille France;
IM2NP-UMR CNRS 7334 Aix-Marseille University Marseille France;
1T1R ReRAM; Static Random-Access Memory (SRAM); Non-volatile Static Random-Access Memory (nvSRAM); Power consumption;
机译:cNV SRAM:基于CMOS技术的基于非易失性SRAM的超低泄漏能量混合存储系统
机译:基于新兴存储技术的非易失性触发器概述基于新兴存储技术的非易失性触发器概述
机译:基于MoS_2-GO电阻层的ReRAM的低压和受控开关,用于非易失性存储器应用
机译:使用喷墨打印技术制造的柔性非易失性Cu / Cu
机译:除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外,外围电路还具有重要意义。
机译:基于Ta2O5的电阻式开关存储器(ReRAM)中的可逆开关模式更改
机译:基于RERAM的内存计算的横杆约束技术映射
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)