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nvSRAM; 非易失性; 数据存储; 存储器; 独立磁盘冗余阵列; 消费类电子产品;
机译:新型非易失性L1 / L2 / L3高速缓存存储器层次结构,使用具有电压感应磁化开关和超低功耗MTJ的非易失性SRAM
机译:使用强介电存储器的非易失性SRAM和FF的设计和应用-实现无限数量的读取和重写-
机译:使用读数和重写的铁电存储器,实现设计和非易失性SRAM的应用和FF
机译:使用电阻式存储器(忆阻器)器件的非易失性逻辑和非易失性SRAM的耐久电路设计
机译:铁电电容存储器:自主非易失性铁电存储器锁存器的特性。
机译:非易失性核自旋存储器可实现小型自旋簇的无限传感器纳米级光谱
机译:使用磁隧道的非易失性静态随机存取存储器(NV-sRam) 具有电流感应磁化开关结构的连接点
机译:集成的非易失性高速模拟随机存取存储器
机译:写入电路,非易失性数据存储器,写入多个存储器单元的方法和操作非易失性数据存储器的方法
机译:具有氧化物堆叠的非易失性存储器件和使用该非易失性SRAM的非易失性SRAM
机译:具有氧化物堆叠的非易失性存储元件和使用该非易失性SRAM的非易失性SRAM
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