強誘電体メモリを利用した不揮発性SRAMとFFの設計と応用－読出し回数·書換え回数無制限の実現－

摘要

我々は、SRAMセルの相補記憶ノードに強誘電体キャパシタを2個ずつ付加した不揮発性SRAMセルを提唱している。 このセルは、電源投入時に強誘電体キャパシタからSRAMセル部へデータを安定して復元できる。しかし以前報告した制御手法では、SRAMセル部と強誘電体キャパシタを同時に書換えていたため、強誘電体の疲労特性から書換え回数に制限があった。 今回、揮発性の書換えと不揮発性の書換えを分離し、さらに揮発性の書換え時に強誘電体キャパシタが分極反転しない制御手法を開発した。 これにより書換え回数の制限を無くすことができた。 開発した回路技術をもとに、長距離通信用RFIDタグLSIに応用できる低消費電力の不揮発性FFを実現した。