机译:线性双极晶体管的剂量率效应
Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA;
Annealing; bipolar transistor; dose-rate effects; total dose damage;
机译:传统双极晶体管和线性集成电路中的总剂量效应
机译:剂量和剂量率对高温辐照的NPN双极结型晶体管的影响
机译:MOS和低剂量率敏感的线性双极型器件中的总电离剂量效应
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机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
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机译:线性双极系统中总剂量对错误率的影响