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双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应

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在辐射的剂量率范围内,无论是国产还是进1:21的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且纵向NPN管比PNP管严重.本文对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨,并讨论了双极器件的抗辐射加固技术.

著录项

来源
《电子质量》 |2007年第11期|25-28|共4页
作者
尹雪梅; 李斌; 师谦;
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作者单位

华南理工大学微电子研究所,广州,510640;

电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;

华南理工大学微电子研究所,广州,510640;

电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;

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正文语种 chi
中图分类晶体管：按工艺分;
关键词
低剂量率; 电离辐射; 双极晶体管; 抗辐射加固;

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