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一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法

摘要

本发明涉及一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法,属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有技术中缺少对于双晶体管的低剂量率抑制手段的缺点而提出的,包括:将晶体管放入密闭容器中,并抽真空或填充保护性气体;所述晶体管为双极晶体管;使用电炉对晶体管进行加热,并进行保温;保温结束后,将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。

著录项

  • 公开/公告号CN108362988A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201810134750.6

  • 发明设计人 李兴冀;杨剑群;刘超铭;赵金宇;

    申请日2018-02-09

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人杨立超

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 06:31:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20180209

    实质审查的生效

  • 2018-08-03

    公开

    公开

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