机译:65nm 10T亚阈值SRAM中的中子引起的软错误和多单元不安
Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan;
Multiple cell upset; neutron-induced soft error; soft error rate; subthreshold circuit;
机译:65 nm 10T亚阈值SRAM中中子引起的多细胞不安定的角度依赖性
机译:10T亚阈值SRAM中Alpha粒子引起的软错误和多单元不稳定性的测量和分析
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机译:65 nm 10T亚阈值SRAM中的Alpha粒子引起的软错误和多个单元异常
机译:建模和缓解纳米级SRAM中的软错误。
机译:突变阴性的早发和高危乳腺癌患者正常细胞中的单CpG甲基化过高等位基因甲基化错误以及多种抑癌基因表达降低
机译:65nm 10T亚阈值SRAM中的中子引起的软错误和多单元不安