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公开/公告号CN107240416B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-22
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201710441332.7
发明设计人 贺雅娟;张九柏;何进;张子骥;衣溪琳;张波;
申请日2017-06-13
分类号G11C11/419(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 10:59:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-22
授权
2017-11-07
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/419 申请日:20170613
实质审查的生效
2017-10-10
公开
机译: 超低功耗SRAM单元电路,具有用于近阈值和亚阈值操作的电源反馈环路
机译: 具有低反馈功率的超低功耗SRAM单元电路,用于近阈值和亚阈值操作
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机译:具有改进的稳定性/可变性的UTB SOI SRAM阈值电压设计,用于超低电压近亚阈值操作
机译:FinFET SRAM单元中用于超阈值和亚阈值电源电压操作的SEU的比较分析
机译:读取无干扰的SRAM位单元,用于亚阈值存储应用
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机译:亚阈值二极管微型激光器结合玻璃体内治疗用于黄斑水肿 - 一种系统化的审查和批判方法
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