首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Nuclear Science >Correction to “Synergistic Effect of Ionization and Displacement Damage in NPN Transistors Caused by Protons With Various Energies”
【24h】

Correction to “Synergistic Effect of Ionization and Displacement Damage in NPN Transistors Caused by Protons With Various Energies”

机译:对“各种能量的质子对NPN晶体管的电离和位移损伤的协同效应的修正”

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

In the original paper [1], Fig. 8 contained errors and Fig. 9 was missing. A corrected version of Fig. 8 and Fig. 9 appear below.
机译:在原始论文[1]中,图8包含错误,而图9缺失。下面显示了图8和图9的校正版本。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号