第1章 绪 论
1.1 课题背景及研究的目的和意义
1.2 双极器件的位移损伤研究
1.3 双极器件的电离效应研究
1.4 位移损伤与电离损伤的协同效应
1.5 主要研究内容
第2章 试验器件及分析测试方法
2.1 试验器件
2.2 辐照试验方法
2.3 电性能测试方法
2.4 栅扫描测试方法
第3章 GPNP型双极晶体管的位移效应研究
3.1 晶体管经40MeV Si离子辐照后电性能变化规律
3.2 晶体管经40MeV Si离子辐射后的栅扫描分析
3.3 本章小结
第4章 GPNP型双极晶体管的电离效应研究
4.1 高剂量率γ射线辐照GPNP晶体管的电离效应研究
4.2 低剂量率γ射线辐照GPNP晶体管的电离效应研究
4.3 剂量率对晶体管电离效应的影响
4.4 本章小结
第5章 GPNP型晶体管的电离/位移协同效应研究
5.1 晶体管的电性能变化规律
5.2 位移缺陷对氧化物电荷的影响
5.3 位移缺陷对界面态的影响
5.4 电离辐射增强位移缺陷退火
5.5 本章小结
结论
参考文献
声明
致谢