一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法

摘要

一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构应用不同类型的带电粒子，从而实现电离和位移缺陷间接交互作用的研究。方法：制备MIS结构，导体‑绝缘体‑半导体中导体、绝缘体和半导体的厚度分别为a₁，a₂和a₃，计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(I_d)和位移吸收剂量(D_d)，3d+D_d)/D_d]<5，产生稳定的电离缺陷和位移缺陷；log[(I_d+D_d)/D_d]≤3，产生稳定的位移缺陷；log[(I_d+D_d)/D_d]≥5，产生稳定的电离缺陷；本发明的试验方法，步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够有效地揭示电离缺陷和位移缺陷之间交互作用。