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机译:不同能量联合质子辐照对NPN晶体管的协同效应
Harbin Inst Technol, Sch Mat Sci & Engn, Harbin 150001, Heilongjiang, Peoples R China;
Harbin Inst Technol, Sch Mat Sci & Engn, Harbin 150001, Heilongjiang, Peoples R China;
Harbin Inst Technol, Sch Mat Sci & Engn, Harbin 150001, Heilongjiang, Peoples R China;
Beijing Inst Spacecraft Syst Engn, Beijing 100094, Peoples R China;
Beijing Inst Spacecraft Syst Engn, Beijing 100094, Peoples R China;
Harbin Inst Technol, Sch Mat Sci & Engn, Harbin 150001, Heilongjiang, Peoples R China;
Bipolar junction transistors; DLTS; Radiation effect; Ionization damage; Displacement damage; Protons;
机译:对“各种能量的质子对NPN晶体管的电离和位移损伤的协同效应的修正”
机译:各种能量的质子对NPN晶体管的电离和位移损伤的协同效应
机译:质子和电子对NPN晶体管的联合辐射效应
机译:硅NPN RF功率晶体管的高总剂量质子辐照效应
机译:低能电子束辐照对分离门测试结构上石墨烯和石墨烯场效应晶体管的影响以及石墨烯的拉曼计量。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:质子和X射线照射对厚膜SOI互补(NPN + PNP)SiGE HBT的DC和AC性能的影响
机译:40和440 mEV质子对晶体管的辐照效应