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机译:通过选择性MBE集成HBT可调有源反馈线性化的新型整体式HEMT LNA
机译:通过选择性MBE整体式HBT调节的HEMT LNA
机译:通过选择性MBE进行单片HEMT-HBT集成
机译:开发用于氨-MBE生长的GaN-HEMT与硅CMOS的单片集成的技术构建块
机译:使用基于InP的PIN-HEMT MBE选择性外延的Q波段单片RF光学接收器
机译:GaN HEMT与硅MOS技术的单片集成
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:抑制增强型P-GaN HEMTS对200毫米GAN-ON-SOI进行单片集成的电阻效应