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机译:通过精炼内在电容,通过精炼内在电容进行准确的基于神经网络的一致栅极电荷模型
Natl Univ Singapore Dept Elect & Comp Engn Singapore 117576 Singapore;
Natl Univ Singapore Dept Elect & Comp Engn Singapore 117576 Singapore|Natl Univ Singapore Suzhou Res Inst Ctr Peak Excellence Smart Med Technol Suzhou 215123 Peoples R China;
Natl Univ Singapore Dept Elect & Comp Engn Singapore 117576 Singapore;
Natl Univ Singapore Dept Elect & Comp Engn Singapore 117576 Singapore|Natl Univ Singapore Suzhou Res Inst Ctr Peak Excellence Smart Med Technol Suzhou 215123 Peoples R China;
Logic gates; Capacitance; Integrated circuit modeling; MODFETs; HEMTs; Neural networks; Vegetation; Charge model; GaN high electron mobility transistors (HEMTs); large-signal model; neural network; outlier detection;
机译:AlGaN / GaN HEMT的大信号紧凑模型的分析栅极电容模型
机译:AlGaN / GaN Hemts内在电容温度依赖性非线性的分析与建模
机译:Alinn / GaN和Algan / GaN Hemts的电荷基于闸门漏电流的紧凑型号
机译:AlGaN / GaN HEMT的栅极电荷和栅极电容的紧凑物理模型
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:基于表面电位的P-GaN门垫的紧凑型造型
机译:用于掺杂和未掺杂门控AlGaN / GaN Hemts的三角量子井模型中的电荷密度和等离子体模式
机译:在提取GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)的寄生电感时去除残余栅源电容的数值技术