机译:多层单元NAND闪存的浮栅耦合消除器
School of Electrical Engineering,, Soongsil University,, Seoul,, Korea;
Coupling noise; floating-gate coupling canceller (FG CC); multi-level cell (MLC) NAND flash memory;
机译:多级单元NAND闪存的耦合抵消器最大似然(CCML)检测
机译:浮栅NAND闪存单元中的磁滞现象的研究
机译:具有周围浮栅(DC-SF)NAND闪存单元的新型三维双重控制栅
机译:多级单元NAND闪存的耦合抵消器最大似然(CCML)检测
机译:硅量子点浮栅闪存设备的计算机建模。
机译:通过消除注意力梯度和对意识的考虑来消除闪光幻象线运动
机译:65 nm技术中的1G-Cell浮栅和闪存,具有100ns随机接入时间