机译:使用盒下(衬底)二极管结构的SOI技术的ESD保护
buried layers; electrostatic discharge; integrated circuit reliability; semiconductor diodes; silicon-on-insulator; CMOS process; buried oxide; deep n-well implant; device simulation; electrostatic-discharge protection; integrated silicon-on-insulator circuits; pro;
机译:栅控场效应二极管和可控硅整流器,用于先进SOI技术中的带电设备模型ESD保护
机译:用于混合电源系统的具有二极管结构的ESD电源保护设计
机译:混合电源系统中具有二极管结构的ESD电源保护设计
机译:采用1.8V 0.15- / splμ/μm部分耗尽SOI自对准硅化物的CMOS工艺的新型二极管结构和ESD保护电路
机译:用于深亚微米ESD保护器件的衬底电阻的建模和表征。
机译:具有嵌入式载流子复合结构的新型高保持电压SCR可实现闩锁免疫和强大的ESD保护
机译:新型MOS结合二极管结构的ESD保护电路