机译:使用数据后补偿和预失真来容忍MLC nand闪存中的单元间干扰
Electrical,ComputerandSystemsEngineeringDepartment,RensselaerPolytechnicInstitute(RPI),Troy,NY,USA;
Cell-to-cell interference; nand flash memory; postcompensation; predistortion;
机译:使用MLC NAND闪存的干扰单元减少符号模式的单元间干扰补偿方案
机译:具有用于MLC NAND闪存的临时LSB存储和并行MSB编程方案的零单元间干扰页面架构
机译:异常的单元间干扰对p型浮栅和控制栅NAND闪存的影响
机译:通过利用扩展的MLC NAND闪存的差分位影响特性来最大程度地减少单元间干扰
机译:使用大规模NAND闪存的固态数据存储电路和系统。
机译:非对称编程:基于MLC NAND闪存的传感器系统的高度可靠的元数据分配策略
机译:mLC NaND闪存中的程序干扰:表征,建模和缓解