机译:片上过程和温度监控器,用于2 $,$,$ VDD输出缓冲器的自调整摆率控制
Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan|c|;
Floating N-well circuit; gate-oxide reliability; mixed-voltage-tolerant; output buffer; process and temperature variation; threshold voltage detection;
机译:2×VDD 500 MHz数字输出缓冲器,具有最佳驱动器晶体管,用于使用28-NM CMOS工艺进行压摆率自调节和泄漏减少
机译:2-GHz 2×VDD 28-NM CMOS数字输出缓冲器,带有压力速率自动调节处理和电压变化
机译:斜率控制的输出驱动器,在整个过程,电压,温度和输出负载变化中具有恒定的过渡时间
机译:片上MOS PVT变化监测器,用于摆率自调节2×VDD输出缓冲器
机译:集成的CMOS电容传感器和微执行器控制电路,用于片上电池监控。
机译:用于片上温度监控的CMOS-SOI集成温度感测电路的研究
机译:0.5μmCMOSSRAM技术的弹簧速率控制输出缓冲器的ESD保护