机译:先进CMOS技术中的单个输出缓冲器的ESD保护
机译:采用0.5- / spl mu / m CMOS技术的耦合良好的场氧化物器件的输出焊盘的ESD保护
机译:通过使用具有高触发电流的改良型LVTSCR器件,为CMOS输出缓冲器提供ESD保护
机译:采用良好耦合技术的0.5- / splμm/ m高速CMOS SRAM IC的高效输出ESD保护
机译:采用0.5 um CMOS工艺技术的具有高功率效率和低输出纹波噪声的电荷泵架构。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:在缩小的VLsI技术中用于CmOs输出缓冲器的静电放电(EsD)保护