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High-efficiency InP-based HEMT MMIC power amplifier for Q-band applications

机译:适用于Q波段的基于InP的高效HEMT MMIC功率放大器

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摘要

Advanced millimeter-wave systems require high efficiency MMIC power amplifiers to reduce physical size, weight, and prime power consumption. A high-efficiency MMIC power amplifier was developed using 0.15 um InP-based (Al/sub 0.48/In/sub 0.52/As-Ga/sub 0.47/In/sub 0.53/As) HEMT MMIC technology. The amplifier demonstrated state-of-the-art power performance, including 33% power-added efficiency and 24 dBm output power at 44 GHz. Potential applications include communication terminals and phased array antennas.
机译:先进的毫米波系统需要高效的MMIC功率放大器来减小物理尺寸,重量和主要功耗。一种高效的MMIC功率放大器是使用0.15 um InP基(Al / sub 0.48 / In / sub 0.52 / As-Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As)HEMT MMIC技术开发的。该放大器展现了最先进的功率性能,包括33%的功率附加效率和44 GHz的24 dBm输出功率。潜在的应用包括通信终端和相控阵天线。

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