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公开/公告号CN105811895B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-22
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江铖昌科技有限公司;
申请/专利号CN201610107329.7
发明设计人 郭丽丽;王焘宇;谢鹏;丁炫;屠志晨;
申请日2016-02-28
分类号H03F1/56(20060101);H03F1/02(20060101);H03F3/195(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人林松海
地址 310023 浙江省杭州市西湖区留和路129号533室
入库时间 2022-08-23 10:11:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-22
授权
2016-08-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/56 申请日:20160228
实质审查的生效
2016-07-27
公开
机译: 具有无条件稳定MMIC FET单元的高增益K波段功率放大器
机译: MMIC功率放大器稳定性标准方法和MMIC功率放大器设计方法使用相同
机译: 高效率,高带宽和射频功率放大器的谐波功率放大电路
机译:使用多谐波负载终端的高效K波段MMIC功率放大器
机译:AlGaN / GaN HEMT的可扩展大信号多谐波模型及其在C波段大功率放大器MMIC中的应用
机译:采用谐波调谐方法设计的C波段60 W GaN功率放大器MMIC
机译:高效率MMIC X波段GAN功率放大器
机译:基于负载拉力测量和小型天线设计的具有谐波终端的2.4 GHz高效氮化镓F(-1)类功率放大器,用于海洋监测应用。
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:具有三次谐波调谐电路的X波段GaN功率放大器mmIC
机译:Ku波段高效率Gaas mmIC功率放大器