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机译:使用伪HEMT技术的低噪声单片Ku波段VCO
机译:伪态功率和低噪声HEMT的单片集成
机译:采用数字CMOS技术的10 GHz低噪声,低功耗单片集成VCO
机译:使用0.2 / spl mu / m AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态HEMT技术开发单片V波段变频器芯片组
机译:使用拟态AlGaAs / InGaAs / GaAs HEMT的准单片Ka波段VCO
机译:GaN HEMT与硅MOS技术的单片集成
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:使用GaN-on-SiC p-HEMT的2.5 GHz调谐范围的低噪声X波段微带VCO
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用