Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验

摘要

通过分析微波单片集成电路(MMIC)与常用的微波立体电路的不同点,讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径.着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件(有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件)电路模型的方法.借助这一分析,使用通用的微波电路软件,完成了Ku波段两级AlGaAs/InGaAs PHEMT单片低噪声放大器的设计与研制,取得了与CAD设计值十分相近的实验结果:在13.4～14.0GHz的频率范围内,噪声系数(NF)1.66±0.04dB,相关增益(Ga)13.3±0.05dB,为国内目前的最好结果.