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The impact of LOC structures on 670-nm (Al)GaInP high-power lasers

机译:LOC结构对670 nm(Al)GaInP大功率激光器的影响

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摘要

We investigate the potential of large optical cavity (LOC)-laser structures for AlGaInP high-power lasers. For that we study large series of broad area lasers with varying waveguide widths to obtain statistically relevant data. We study in detail I/sub th/, /spl alpha//sub i/, /spl eta//sub i/, and P/sub max/, and analyze above-threshold behavior including temperature stability and leakage current. We got as expected for LOC structures minimal /spl alpha//sub i//spl les/1 cm/sup -1/ resulting in /spl eta//sup d/=1.1 W/A for 64/spl times/2000 /spl mu/m/sup 2/ uncoated devices. We obtain total output powers /spl ges/3.2 W (qCW) and /spl ges/1.5 W (CW) at 20/spl deg/C.
机译:我们研究了AlGaInP高功率激光器的大光腔(LOC)激光器结构的潜力。为此,我们研究了具有不同波导宽度的大系列广域激光器,以获得统计上相关的数据。我们将详细研究I / sub th /,/ spl alpha // sub i /,/ spl eta // sub i /和P / sub max /,并分析阈值以上的行为,包括温度稳定性和泄漏电流。对于LOC结构,我们得到了预期的最小/ spl alpha // sub i // spl les / 1 cm / sup -1 /导致/ spl eta // sup d / = 1.1 W / A 64 / spl次/ 2000 / spl mu / m / sup 2 /未涂覆的设备。我们在20 / spl deg / C下获得总输出功率/ spl ges / 3.2 W(qCW)和/ spl ges / 1.5 W(CW)。

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