一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器

摘要

本发明提供了一种AlGaAs/GaInP有源区795nm量子阱激光器，其外延结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、欧姆接触层，上波导层和下波导层采用无铝材料镓铟磷，量子阱层为铝镓砷材料，波导层和量子阱层共同组成宽波导半无铝有源区。本发明能够满足小型化、简单化自倍频激光晶体应用的泵浦激光器的特殊需求，同时优化的激光器结构能够有效降低生长界面粗糙、腔面处附生电场对激光器长寿命等可靠性的影响。