机译:具有GaInP埋入式波导的高功率1.02μmInGaAs / AlGaAs应变量子阱激光器,用于泵浦Pr / sup 3 +/-掺杂的光纤放大器
机译:带有GaInP埋入式波导的0.98-1.02μm应变InGaAs / AlGaAs双量子阱高功率激光器
机译:高功率0.98-μmInGaAs-GaAs应变量子阱脊形波导激光器的稳定运行(超过5000小时),用于泵浦Er / sup 3 +/-掺杂的光纤放大器
机译:用于Er / sup 3 +/-掺杂光纤放大器的高功率0.98μmGaInAs应变量子阱激光器
机译:具有GaInP埋入式波导的1.02 / splμ/ m应变InGaAs / AlGaAs双量子阱高功率激光器
机译:光学泵浦掺do硅酸锗锗锌(ZSG)波导放大器中的光学性质和种群统计。
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:使用新型InGaAsP和AlGaAs混合材料系统生长和制备高性能980nm应变InGaAs量子阱激光器
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)