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【24h】

High-power 1.02 mu m InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers with GaInP buried waveguides for pumping Pr/sup 3+/-doped optical fibre amplifier

机译:具有GaInP埋入式波导的高功率1.02μmInGaAs / AlGaAs应变量子阱激光器,用于泵浦Pr / sup 3 +/-掺杂的光纤放大器

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摘要

High power 1.02 mu m single spatial mode laser diodes with low-loss (3.3 cm/sup -1/) GaInP buried waveguides have been developed for pumping Pr/sup 3+/-doped optical fibre amplifiers. A maximum CW light output power of 415 mW and an optical fibre output of 71 mW at 200 mA have been achieved. A preliminary lifetest showed stable operation for over 2300 h under 100 mW CW conditions at 50 degrees C.
机译:已经开发出具有低损耗(3.3 cm / sup -1 /)GaInP埋入式波导的高功率1.02μm单空间模式激光二极管,用于泵浦Pr / sup 3 +/-掺杂的光纤放大器。在200 mA时,已实现415 mW的最大CW光输出功率和71 mW的光纤输出。初步寿命测试显示,在50摄氏度,100毫瓦连续波条件下,稳定运行超过2300小时。

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