...
机译:高压研究1.3-μmGaInNAs量子阱激光器中的复合机理
Auger effect; III-V semiconductors; carrier density; conduction bands; effective mass; electron-hole recombination; energy level crossing; gallium compounds; high-pressure effects; indium compounds; nitrogen; quantum well lasers; spontaneous emission; 1.3 mum; Auger-r;
机译:1.3- / splμm/ m GaInNAs量子阱激光器中复合机制的高压研究
机译:基于1.3微米GaInNAs的量子阱激光器中与辐射,俄歇和缺陷相关的重组过程的定量研究
机译:横向扩散对1.3-μmu{hbox {m}} $双量子阱GaInNAs-GaAs激光器阈值电流温度灵敏度的影响
机译:利用静水压对GaInNAs,InGaAsP和AlGalnAs量子阱激光器中的重组过程进行光学研究
机译:可见光谱铟镓-磷-砷化物激光和量子阱异质结构激光的高压测量。
机译:自组装GaInNAs / GaAsN量子点激光器:固体源分子束外延生长和高温操作
机译:高压下1.3μm GaInNAs量子阱激光器中俄歇复合电流的异常增加
机译:电子束激发高压复合激光器可行性研究。