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机译:基于1.3微米GaInNAs的量子阱激光器中与辐射,俄歇和缺陷相关的重组过程的定量研究
Auger effect; III-V semiconductors; carrier density; current density; electron-hole recombination; gallium arsenide; indium compounds; k.p calculations; quantum well lasers; semiconductor quantum wells; spontaneous emission; 1.3 micron; 130 to 370 K; Auger recombinat;
机译:在低温和室温下高压下测得的1.3μmInGaAsP和1.5μmInGaAs量子阱激光器中的辐射和俄歇复合
机译:1.3- / splμm/ m GaInNAs量子阱激光器中复合机制的高压研究
机译:高压研究1.3-μmGaInNAs量子阱激光器中的复合机理
机译:1.3- / splμm/ m InAs / GaInAs量子点激光的俄歇复合研究
机译:通过用红外二极管激光器菌株和傅立叶合成螺旋钻重组中介
机译:InGaN发光器件中载流子引起的非辐射复合瞬态缺陷机理
机译:在低温和室温下高压下测量的1.3μmInGaAsP和1.5μmInGaAs量子阱激光器的辐射和俄歇复合