机译:使用图案化的蓝宝石衬底提高近紫外InGaN LED的效率
Department of Materials Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402;
GaN; InGaN; light-emitting diode (LED); near ultraviolet (UV); patterned sapphire substrate (PSS);
机译:改善在条纹图案蓝宝石衬底上制造的近紫外InGaN-GaN LED的光输出效率
机译:在图案化蓝宝石衬底上生长的近紫外InGaN-GaN LED的增强的输出功率
机译:蓝宝石衬底上生长的近紫外InGaN / GaN发光二极管
机译:条纹图案化蓝宝石衬底上制造的近紫外线Ingan-GaN LED的显着效率提高
机译:氮化镓在具有蛇形通道的图案化蓝宝石衬底上异质外延生长。
机译:具有不同对称性的图案化蓝宝石衬底对InGaN基LED的光输出功率的影响
机译:在图案化蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN LED中激发功率相关的内量子效率的研究