机译:自组装InAs-GaAs量子点激光器的1.3-μμm孔以下点和孔中点的速率方程
III-V semiconductors; energy states; gallium arsenide; indium compounds; optical saturation; quantum dot lasers; self-assembly; semiconductor doping; 1.3 mum; 293 to 298 K; GaAs barrier; InAs-GaAs; InAs-GaAs quantum-dot lasers; carrier transport; doped lasers; dots-in-;
机译:自组装InAs-GaAs量子点激光器的1.3-μμm孔以下点和孔中点的速率方程
机译:具有阱中孔(DWELL)结构的低阈值电流密度1.3- / splμm/ m InAs量子点激光器
机译:InAs / GaAs量子点垂直腔面发射激光器1.3μm孔下和孔中点的理论研究
机译:载流子传输对1.3 µm InAs / GaAs自组装量子点激光器调制带宽的影响
机译:1.3毫米InAs量子点激光器的表征和建模。
机译:1.3μmInAs / GaAs自组装量子点激光器的热效应和小信号调制
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