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22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference
22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference
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1.
Exciton-polariton laser diodes
机译:
激子-极化激光二极管
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
2.
Large bandwidth TO-CAN module with LCP based transmission line as serial 40 Gb/s 1.3/1.55-µm light source
机译:
大带宽TO-CAN模块,具有基于LCP的传输线,作为串行40 Gb / s 1.3 / 1.55-µm光源
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
3.
25.8Gbps direct modulation of BH AlGaInAs DFB lasers with p-InP substrate for low driving current
机译:
具有p-InP基板的BH AlGaInAs DFB激光器25.8Gbps直接调制可实现低驱动电流
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
4.
High power and semi-cooled (45°C) operation of 1.55-µm 43-Gbit/s electro-absorption modulator integrated DFB laser
机译:
1.55 µm 43 Gbit / s电吸收调制器集成的DFB激光器的高功率和半冷却(45°C)操作
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
5.
Uncooled 40-Gbps direct modulation of 1.3-µm-wavelength AlGaInAs distributed reflector lasers with semi-insulating buried-heterostructure
机译:
具有半绝缘埋层异质结构的1.3 µm波长AlGaInAs分布式反射器激光器的未冷却40 Gbps直接调制
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
6.
Decimated photonic crystal membrane defect cavity lasers
机译:
抽取光子晶体膜缺陷腔激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
7.
Recent progress in 1.3-µm uncooled InGaAlAs directly modulated lasers
机译:
1.3 µm非冷却InGaAlAs直接调制激光器的最新进展
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
8.
GaN-based distributed-feedback surface-emitting laser with embedded two-dimensional photonic crystal fabricated by mass-transport technique
机译:
传质技术制备的嵌有二维光子晶体的GaN基分布反馈表面发射激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
9.
Nano-slit photonic crystal nanolaser with mode localization in air
机译:
空气中具有模式定位的纳米狭缝光子晶体纳米激光
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
10.
Photonic-crystal surface-emitting laser
机译:
光子晶体表面发射激光器
作者:
Sakai Kyosuke
;
Noda Susumu
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
11.
Visible photonic crystal VCSELs with high quality output beam
机译:
具有高质量输出光束的可见光子晶体VCSEL
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
12.
Will quantum dots replace quantum wells as the active media of choice in future semiconductor lasers?
机译:
量子点会取代量子阱作为未来半导体激光器的首选有源介质吗?
作者:
Chow W. W.
;
Jahnke F.
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
13.
1.54 µm InAs/InP p-type doped quantum dash based DFB lasers for isolator free operation
机译:
1.54 µm InAs / InP p型掺杂量子破折号DFB激光器,无需隔离器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
14.
202nm continuous tuning from high-power external-cavity InAs/GaAs quantum-dot laser
机译:
大功率外腔InAs / GaAs量子点激光器的202nm连续调谐
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
15.
Effect of carrier transport on modulation bandwidth of 1.3-µm InAs/GaAs self-assembled quantum-dot lasers
机译:
载流子传输对1.3 µm InAs / GaAs自组装量子点激光器调制带宽的影响
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
16.
Ultra-short optical pulse generation by InGaAs quantum-dot diode emitters
机译:
InGaAs量子点二极管发射器产生的超短光脉冲
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
关键词:
Quantum dot;
femtosecond phenomena;
mode-locking;
optical pulse generation;
superradiance;
17.
Author index
机译:
作者索引
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
18.
First demonstration of modulation via field-induced charge-separation in VCSELS
机译:
VCSELS中通过场感应电荷分离进行调制的首次演示
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
19.
Integrated tunable VCSELs with simple MEMS technology
机译:
具有简单MEMS技术的集成可调VCSEL
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
20.
Single facet teardrop laser with matched bends design
机译:
具有匹配弯曲设计的单面泪滴激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
21.
Integrated 30GHz passive ring mode-locked laser with gain flattening filter
机译:
集成的30GHz无源环形锁模激光器,带有增益平坦滤波器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
22.
Electron-Cooper-pair operated long-wavelength light emitting diodes
机译:
电子库珀对操作的长波长发光二极管
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
23.
Lasing in GaAs
1−x
Bi
x
/GaAs thin film cavity with low-temperature-dependent oscillation wavelength
机译:
GaAs
1-x inf> Bi
x inf> / GaAs薄膜腔激射
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
24.
Lasing in a one-dimensional plasmonic crystal
机译:
激射一维等离子体晶体
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
25.
Thermal behavior of 1.55 µm (100) InAs/InP-based quantum dot lasers
机译:
1.55 µm(100)基于InAs / InP的量子点激光器的热行为
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
26.
Towards 1.55 µm GaAs based lasers using quantum dot bilayers
机译:
使用量子点双层实现基于1.55 µm GaAs的激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
27.
1270 nm quantum dot based semiconductor disk lasers
机译:
1270 nm基于量子点的半导体磁盘激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
28.
Reverse ground-state excited-state emission transition dynamics in two-section quantum dot semiconductor lasers: Simultaneous twostate mode-locking and state-switching via a resistor Self-Electro-optic Effect Device (SEED)
机译:
两节量子点半导体激光器中的反向基态激发态发射跃迁动力学:通过电阻器自光电效应器件(SEED)同时进行二态锁模和状态切换
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
关键词:
dual-state emission;
optical switching;
picosecond pulse generation;
quantum dot emission hierarchy;
two-section quantum dot semiconductor laser;
two-state passive mode-locking;
29.
Carrier injection-level dependence of lateral ambipolar diffusion in S-K quantum-dot lasers
机译:
S-K量子点激光器中横向双极性扩散的载流子注入能级依赖性
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
30.
Integrated AlGaAs quantum-well ridge-structure two-wavelength DBR laser for THz wave generation
机译:
集成AlGaAs量子阱脊结构双波长DBR激光器,用于产生太赫兹波
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
31.
Uncooled 25-Gb/s 2-km transmission of a 1.3-µm surface-emitting laser
机译:
1.3微米表面发射激光器的非冷却25 Gb / s 2公里传输
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
32.
Low-voltage operation of 100-Gbit/s EADFB laser array module
机译:
100 Gbit / s EADFB激光阵列模块的低压运行
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
33.
Efficiency limitations of green InGaN LEDs and laser diodes
机译:
绿色InGaN LED和激光二极管的效率限制
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
34.
First achievement of Deep-UV LED on Si substrate
机译:
Si基板上的Deep-UV LED的第一项成就
作者:
Fujikawa Sachie
;
Hirayama Hideki
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
35.
Green region stimulated emission in optically pumped InGaN/GaN MQW nanocolumn arrays of triangular lattice
机译:
三角形晶格的光泵浦InGaN / GaN MQW纳米柱阵列中的绿色区域激发发射
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
36.
InGaN-based true green laser diodes on novel semi-polar {202̄1} GaN substrates
机译:
新型半极性{202̄1} GaN衬底上的基于InGaN的真绿色激光二极管
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
37.
540-nm green room-temperature CW operation of BeZnCdSe single quantum well laser diode
机译:
BeZnCdSe单量子阱激光二极管的540 nm绿色室温CW操作
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
38.
1550 nm high contrast grating VCSEL using proton-implant-defined aperture
机译:
1550 nm高对比度光栅VCSEL,使用质子植入物定义的孔径
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
39.
Substrate-free metal cavity surface-emitting laser with CW operation at room temperature
机译:
室温下连续工作的无基板金属腔表面发射激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
40.
Widely tunable high-speed bulk-micromachined short-wavelength MEMS-VCSEL
机译:
广泛可调的高速整体微加工短波长MEMS-VCSEL
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
41.
Multiwavelength HCG-VCSEL array
机译:
多波长HCG-VCSEL阵列
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
42.
CW current injection of GaN-based vertical cavity surface emitting laser with hybrid mirrors at room temperature
机译:
室温下具有混合镜的GaN基垂直腔表面发射激光器的连续波电流注入
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
43.
Multi-wavelength 1060nm-band VCSEL array with tapered hollow waveguide multiplexer
机译:
带有锥形中空波导复用器的多波长1060nm波段VCSEL阵列
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
44.
Advances in VCSELs for communication and sensing
机译:
用于通信和传感的VCSEL的进展
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
45.
High-contrast gratings as new platform for integrated optoelectronics
机译:
高对比度光栅作为集成光电的新平台
作者:
Chang-Hasnain Connie J.
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
46.
Committee
机译:
委员会
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
47.
General and program chairs foreword
机译:
通用和程序主席的序言
作者:
Koyama Fumio
;
Connolly John
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
48.
New tapered quantum-dot mode-locked laser diode with high peak power, low divergence and good beam quality
机译:
新型锥形量子点锁模激光二极管,具有高峰值功率,低发散和良好的光束质量
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
关键词:
Quantum Dots;
Tapered lasers;
beam quality;
divergence;
gain guiding;
mode locking;
peak power;
49.
Electrically-pumped VECSELs suitable for passive modelocking: Design, simulation and characterization in continuous wave
机译:
适用于无源对接的电泵VECSEL:连续波的设计,仿真和表征
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
关键词:
Semiconductor lasers;
passive modelocking;
vertical emitting lasers;
50.
Class-A semiconductor lasers for the transport and generation of optically carried RF analog signals
机译:
A类半导体激光器,用于传输和生成光学传输的RF模拟信号
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
51.
Controlled temperature dependence of lasing wavelength of VCSELs with a thermally actuated cantilever
机译:
具有热激励悬臂的VCSEL的激光波长的受控温度依赖性
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
52.
15 mW of continuous wave single transverse mode output power from planar 960 nm bottom-emitting VCSELs with multiple tapered oxide layers
机译:
来自具有多个锥形氧化物层的960 nm底部发射平面VCSEL的15 mW连续波单横模输出功率
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
53.
1.55 µm high-speed VCSELs enabling error-free fiber-transmission up to 25 Gbit/s
机译:
1.55 µm高速VCSEL,可实现高达25 Gbit / s的无错误光纤传输
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
54.
High-speed 980-nm VCSELs for very short reach optical interconnects
机译:
高速980nm VCSEL,用于非常短距离的光学互连
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
55.
Recorded low power dissipation of 0.14 mW/Gbps in 1060 nm VCSELs for “Green” optical interconnection
机译:
在1060 nm VCSEL中实现了“绿色”光互连的0.14 mW / Gbps的低功耗记录
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
56.
850 nm VCSEL operating error-free at 40 Gbit/s
机译:
850 nm VCSEL在40 Gbit / s时无错误运行
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
57.
Broad-area lasers with internal surface Bragg gratings for wavelength stabilization at 980nm
机译:
带有内表面布拉格光栅的广域激光器,用于稳定980nm的波长
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
58.
High power 625-nm AlGaInP laser diode
机译:
大功率625 nm AlGaInP激光二极管
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
59.
“New ultrafast high power kW class lasers open next generation applications”
机译:
“新型超快大功率kW级激光器打开了下一代应用”
作者:
Poprawe R.
;
Gillner A.
;
Hoffmann D.
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
60.
A penalty-free approach to wavelength stabilization of high power diode lasers from 900 nm to 1900 nm
机译:
高功率二极管激光器从900 nm到1900 nm的波长稳定化的无损方法
作者:
Leisher Paul
;
Martinsen Rob
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
61.
A fully integrated hybrid silicon AWG based multiwavelength laser
机译:
完全集成的基于混合硅AWG的多波长激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
62.
MOVPE growth and characterization of Ga(NAsP) laser structures monolithically integrated on Si (001) substrates
机译:
单片集成在Si(001)衬底上的Ga(NAsP)激光结构的MOVPE生长和表征
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
63.
First lasing operation of injection type membrane GaInAsP DFB laser with lateral current injection BH structure
机译:
具有横向电流注入BH结构的注入型GaInAsP DFB激光器的第一次激光操作
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
64.
Integrated broadband hybrid silicon DFB laser array using quantum well intermixing
机译:
使用量子阱混合的集成宽带混合硅DFB激光器阵列
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
65.
The antiguiding parameter in mid-infrared optically pumped semiconductor lasers
机译:
中红外光泵浦半导体激光器的反导参数
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
66.
Semiconductor lasers on silicon
机译:
硅上的半导体激光器
作者:
Bowers John E.
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
67.
Quarter-lambda-shifted photonic crystal lasers
机译:
四分之一λ位移光子晶体激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
68.
First-principles study of light emission from germanium quantum-well
机译:
锗量子阱发光的第一性原理研究
作者:
Suwa Yuji
;
Saito Shin-ichi
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
69.
Phase conjugate wave generation based on self-pumped four-wave mixing in a broad-area laser diode
机译:
基于自泵浦四波混合的广域激光二极管相位共轭波生成
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
2010年
70.
Full characterization of a semiconductor laser beam by simultaneous capture of the near- and far-field
机译:
通过同时捕获近场和远场来全面表征半导体激光束
作者:
Borgentun C.
;
Bengtsson J.
;
Larsson A.
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
71.
40 Gb/s AlGaInAs electroabsorption modulated laser module with novel packaging design
机译:
具有新颖封装设计的40 Gb / s AlGaInAs电吸收调制激光模块
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
72.
Low hysteresis threshold current (39mA) demonstration using active multi-mode interferometer bi-stable laser diodes
机译:
使用有源多模干涉仪双稳态激光二极管演示低滞后阈值电流(39mA)
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
73.
High spectral quality defect-coupled 1550nm micro-disc lasers
机译:
高光谱质量的缺陷耦合1550nm微盘激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
74.
Mode coupling and directional emission in mirocylinder lasers
机译:
云母激光器中的模式耦合和定向发射
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
75.
Mode locking and bandwidth enhancement in single section ridge laser with two spatial modes
机译:
具有两个空间模式的单截面脊形激光器的锁模和带宽增强
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
关键词:
Mode locking;
modulation bandwidth;
76.
Novel theory and experiments on dynamics of polarised optical injection in long-wavelength VCSELs
机译:
长波长VCSEL中偏振光注入动力学的新理论和实验
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
77.
Lasing properties of monolithically integrated Ga(NAsP)/(BGa)P QW lasers on a silicon substrate grown by MOVPE
机译:
在MOVPE生长的硅衬底上单片集成Ga(NAsP)/(BGa)P QW激光器的激光特性
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
78.
Bismide-alloys for higher efficiency infrared semiconductor lasers
机译:
用于高效率红外半导体激光器的铋合金
作者:
Sweeney Stephen J.
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
79.
Experimental demonstration of enhanced slow and fast light by forced coherent population oscillations in a SOA
机译:
SOA中强迫相干总体振荡增强慢速和快光的实验演示
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
80.
Experimental demonstration of SOAs optical bandwidth widening based on selective filtering
机译:
基于选择性滤波的SOA光带宽扩展实验演示
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
81.
Impact of onpolar plane for deep ultraviolet laser diodes based on AlGa/AlN quantum wells
机译:
AlGa / AlN量子阱对深紫外激光二极管极平面的影响
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
82.
Dicke superradiance in GaN quantum wells
机译:
GaN量子阱中的厚超辐射
作者:
Boiko Dmitri L.
;
Vasilev Peter P.
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
83.
Development of AlGaN-based deep-UV LEDs using high-quality AlN on sapphire
机译:
在蓝宝石上使用高质量AlN开发基于AlGaN的深紫外LED
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
84.
Observation of laser action from gallium nitride nanorods under optical pumping
机译:
光学泵浦下氮化镓纳米棒的激光作用观察
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
85.
Short injector interband cascade lasers in the 3.3–3.6 µm spectral range
机译:
3.3–3.6 µm光谱范围内的短注入器带间级联激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
86.
Physical properties of short wavelength 2.6µm InAs/AlSb-based quantum cascade lasers
机译:
短波长2.6µm InAs / AlSb基量子级联激光器的物理特性
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
87.
Polarization-resolved nonlinear dynamics induced by orthogonal optical injection in 1550 nm-vertical-cavity surface-emitting lasers
机译:
正交光学注入在1550 nm垂直腔面发射激光器中产生的偏振分辨非线性动力学
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
关键词:
VCSELs;
nonlinear dynamics;
orthogonal optical injection;
88.
Design rules for high wall-plug efficiency quantum cascade lasers
机译:
高壁挂效率量子级联激光器的设计规则
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
关键词:
Injectorless quantum cascade laser;
gain saturation;
high power;
high wall plug efficiency;
injector barrier thickness;
multiple material band design;
89.
Interference effects on the frequency response of injection-locked VCSELs
机译:
干扰对注入锁定VCSEL频率响应的影响
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
90.
Trade-offs in the realization of electrically pumped vertical external cavity surface emitting lasers
机译:
在实现电泵浦垂直外腔表面发射激光器时需要权衡取舍
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
91.
1.3-µm quantum-dot optical preamplifier with narrow bandwidth
机译:
具有窄带宽的1.3 µm量子点光学前置放大器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
92.
Modulation bandwidth enhancement of VCSELs with lateral optical feedback of slow light
机译:
具有慢光横向光反馈的VCSEL的调制带宽增强
作者:
Dalir Hamed
;
Koyama Fumio
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
93.
Two state lasing in InAs/GaAs dots; the role of the bimodal size distribution
机译:
InAs / GaAs点中的两种状态发射;双峰大小分布的作用
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
94.
Wavelength tuning in quantum dot semiconductor disc lasers
机译:
量子点半导体圆盘激光器中的波长调谐
会议名称:
《》
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2010年
95.
Doping effect on two-state lasing in 1.3µm InAs/GaAs quantum dot lasers
机译:
掺杂对1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的两态激光的影响
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
96.
High-power output monolithically integrated tunable DFB-LD array and Mach-Zehnder modulator with 2-channel SOA
机译:
具有2通道SOA的大功率输出单片集成可调DFB-LD阵列和Mach-Zehnder调制器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
97.
Directional single mode QCL emission using metal grating second order coupler at room temperature
机译:
使用金属光栅二阶耦合器在室温下定向单模QCL发射
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
关键词:
Surface emission;
low divergence;
quantum cascade laser;
top metal grating;
98.
Current view of large scale photonic integrated circuits on indium phosphide
机译:
磷化铟上大规模光子集成电路的当前视图
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
99.
Broadband quantum cascade lasers from white light sources to tunable broadband single mode sources
机译:
从白光源到可调宽带单模光源的宽带量子级联激光器
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
100.
External cavity spectral beam combining of 4.6 µm emitting quantum cascade laser arrays
机译:
4.6 µm发射量子级联激光器阵列的外腔光谱光束合并
会议名称:
《22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference》
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2010年
关键词:
QC lasers;
coupling efficiency;
external cavity;
micro lens array;
power scaling;
quantum cascade lasers;
spectral beam combining;
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