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机译:从GaAs-on-Si晶片上选择性刻蚀硅,以形成微波通孔
Lincoln Lab., MIT, Lexington, MA, USA;
III-V semiconductors; MMIC; gallium arsenide; integrated circuit technology; semiconductor technology; sputter etching; GaAs-Si; GaAs-on-Si wafers; MMIC fabrications; Si etching; microwave via-hole formation; plasma etching technique; selective plasma etching; semiconductors;
机译:在通孔蚀刻中通过向碳氟化合物等离子体中加入H_2抑制193 nm光刻胶变形
机译:Ga_2中通孔的高刻蚀速率选择性刻蚀的电感耦合Cl_2 / BCl_3等离子体工艺研究
机译:下一代450 mm晶圆加工微波回旋共振等离子体中刻蚀速率和临界尺寸的分布控制研究
机译:在FinFET的微波激发等离子体中使用新型氢氟烃蚀刻气体在硅上干蚀刻氮化硅的高选择性
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保留低k完整性和高k栅堆叠蚀刻。
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:利用常压等离子体等离子体蚀刻背面减薄碳化硅晶片
机译:从Gaas-on-si晶片选择性等离子蚀刻si用于微波通孔形成