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RC hardened FPGA configuration SRAM cell design

机译:RC加固的FPGA配置SRAM单元设计

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摘要

A radiation hardened configuration bit cell design is proposed for an SRAM-based FPGA used in space application. The p-type gate poly on p-substrate structure provides a radiation immune resistor and a capacitor for RC hardened signal path. In addition to area efficiency, the proposed cell also overcomes the traditional linear energy transfer sensitivity to process and temperature variation.
机译:针对空间应用中基于SRAM的FPGA,提出了一种防辐射配置的位单元设计。 p衬底结构上的p型栅极多晶硅为RC硬化信号路径提供了抗辐射电阻和电容器。除面积效率外,拟议的电池还克服了传统的线性能量转移对工艺和温度变化的敏感性。

著录项

  • 来源
    《Electronics Letters》 |2004年第9期|p.525-526|共2页
  • 作者

    W. Wang;

  • 作者单位

    Electrical Engineering & Computer Science Department, University of Wisconsin-Milwaukee, PO Box 784, Milwaukee, WI 53201, USA;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 无线电电子学、电信技术;
  • 关键词

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