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机译:Al / sub 0.15 / Ga / sub 0.85 / As / In / sub / 0.15 / Ga / sub 0.85 / As伪晶HEMT的理论分析
机译:用于RF和微波频率应用的Al0.15Ga0.85N / GaN / Al0.15Ga0.85N DH-HEMT的分析
机译:室温操作和IN_(0.15)GA_(0.85)的低暗电流为/ INAS / IN_(0.15)GA_(0.85)作为DOT-on-Well短波红外光电探测器:实验和理论相关性
机译:高击穿电压和低漏电流Ga / sub 0.51 / In / sub 0.49 / P / In / sub 0.15 / Ga / sub 0.85 / As拟态HEMT的温度相关研究
机译:p / sup +/-薄表层肖特基势垒增强的高速假晶Al / sub 0.25 / Ga / sub 0.75 / As / In / sub 0.15 / Ga / sub 0.85 / As和Ga / sub 0.5 / In / sub 0.5 / P / In / sub 0.15 / Ga / sub 0.85 / As MODFET
机译:固体氧化物燃料电池(SOFC)中使用的钙钛矿和双钙钛矿钡2钇钌钌0.85铜0.15氧6超导体的ABO3(A =镧,锶,B,铁,钴,镍,铜,锰,钛)的中子衍射研究
机译:辐照下空超晶格自组织的理论预测和原子动力学蒙特卡罗模拟
机译:拟晶态Al0.32Ga0.68As / In0.15Ga 0.85As / GaAs高电子迁移率晶体管结构的调制光谱中的简并电子气效应
机译:假晶Ga0.51In0.49p / In0.15Ga0.85as / Gaas HIGFET。