机译:硅MOSFET反转层中低场载流子迁移率的物理理解
机译:温度高于300 K时低场n沟道MOSFET反相层迁移率的表征和建模
机译:具有大密度界面状态的MOS反转层中载波散射的建模及4H-SIC MOSFET中的电子霍尔迁移率模拟
机译:4H-SiC MOSFET中反型层载流子浓度和霍尔迁移率的温度依赖性
机译:用于不同基板取向的应变硅反转层和UTB MOSFET中的低场移动性
机译:硅在反型层中的状态碰撞扩展对低场迁移率的作用
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:单轴应力下硅反转层空穴迁移的物理模拟
机译:辐射诱导的再氧化氮化物mOsFET的反转层迁移率的增加