机译:硅栅极微结构和栅极氧化物工艺对掺氟的p / sup +/-栅极p沟道MOSFET中阈值电压不稳定性的影响
机译:带有超薄栅极氧化物的100nm以下MOSFET中的随机掺杂引起的阈值电压波动的多晶硅栅极增强
机译:结合量子约束效应的硅纳米管超薄双栅极全能(DGAA)MOSFET的阈值电压模型
机译:掺磷和氮化栅极氧化物的4H-SiC MOSFET的阈值电压不稳定性
机译:硅栅微结构和栅氧化工艺对BF / sub 2 /注入的P +栅p沟道MOSFET中阈值电压不稳定性的影响
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:控制氧化铝微结构以减少钻石MOSFET中的栅极泄漏
机译:多晶硅栅极增强了随机掺杂剂引起的具有超薄栅极氧化物的亚100nm mOsFET的阈值电压波动
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响