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机译:在SOI MOSFET中使用高介电常数栅极绝缘体来增强电流驱动能力及其局限性
机译:通过使用反铁电栅极绝缘体来提高Si MOSFET的电流
机译:通过同时切换SOI CMOS技术中的前,后通道,增强电流驱动的单栅极n沟道和p沟道MOSFET的设计
机译:高k栅极绝缘体MOSFET的导通电流限制
机译:横向接触结构实现具有高介电常数栅极绝缘体的超薄SOI MOSFET的最小寄生电阻
机译:独立双栅极SOI MOSFET晶体管泄漏电流的仿真分析。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:全耗尽硅 - 绝缘体(SOI)G 4 -FET和门 - 全周(GAA)MOSFET的性能分析