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机译:器件参数优化可减少逆向掺杂MOSFET的短沟道效应
机译:栅极线边缘粗糙度对短沟道MOSFET器件掺杂轮廓影响的仿真研究
机译:逆行通道的短路稳健性掺杂1.2 kV SiC MOSFET
机译:具有横向非对称沟道掺杂分布的N沟道MOSFET的器件优化
机译:短通道逆行掺杂MOSFET的阈值电压模型
机译:单通道压缩应变下具有沟道的p沟道MOSFET的凹陷硅锗结参数优化研究。
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:用于减少短通道和热载体效应的电诱导源/漏电区SOI MOSFET的设计考虑因素
机译:用量子模拟优化超短mOsFET的通道轮廓